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基于神经元MOS器件的施密特触发器设计
基于神经元MOS器件的施密特触发器设计
雷晶
电子器件
2007,Vol.30
Issue(6):2057-2060,4.
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电子器件
2007,Vol.30
Issue(6)
:2057-2060,4.
基于神经元MOS器件的施密特触发器设计
Schmitt trigger The Design Based On Neuron MOSFET Device
雷晶
1
作者信息
1.
75753部队,广州,510600
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摘要
关键词
神经元MOS
/
施密特触发器
/
控阈技术
/
回差
分类
信息技术与安全科学
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雷晶..基于神经元MOS器件的施密特触发器设计[J].电子器件,2007,30(6):2057-2060,4.
电子器件
OA
CSTPCD
ISSN:
1005-9490
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