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基于神经元MOS器件的施密特触发器设计

雷晶

电子器件2007,Vol.30Issue(6):2057-2060,4.
电子器件2007,Vol.30Issue(6):2057-2060,4.

基于神经元MOS器件的施密特触发器设计

Schmitt trigger The Design Based On Neuron MOSFET Device

雷晶1

作者信息

  • 1. 75753部队,广州,510600
  • 折叠

摘要

关键词

神经元MOS/施密特触发器/控阈技术/回差

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

雷晶..基于神经元MOS器件的施密特触发器设计[J].电子器件,2007,30(6):2057-2060,4.

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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