电子学报2003，Vol.31Issue(z1)：2063-2065,3.
超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究
The Study on NBTI Mechanism and Its Effect on P + Gate PMOSFET
摘要
关键词
NBTI效应/PMOSFET/界面态/正氧化层固定电荷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郝跃,韩晓亮,刘红侠..超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究[J].电子学报,2003,31(z1):2063-2065,3.基金项目
国家863高科技VLSI重大专项基金 （）
国家自然科学基金 （）
