| 注册
首页|期刊导航|发光学报|高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

秦志新 陈志忠 张国义

发光学报2001,Vol.22Issue(3):209-212,4.
发光学报2001,Vol.22Issue(3):209-212,4.

高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN

Preparation of ZnO Thin Films by Electron Beam Evaporation …… ZHANG Bin, LIN Bi-xia, FU Zhu-xi, et al. (309)Growth of InN on GaAs(001) under High N2 Flux by MBE

秦志新 1陈志忠 1张国义1

作者信息

  • 1. 北京大学物理系介观物理实验室
  • 折叠

摘要

关键词

RHEED/X-射线倒易空间图形/h-InN

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

秦志新,陈志忠,张国义..高N2气流下在GaAs(001)上用MBE法生长InN[J].发光学报,2001,22(3):209-212,4.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文