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功率半导体器件的场限环研究

遇寒 沈克强

电子器件2007,Vol.30Issue(1):210-214,5.
电子器件2007,Vol.30Issue(1):210-214,5.

功率半导体器件的场限环研究

Research of FLR of Power Semiconductor Device

遇寒 1沈克强1

作者信息

  • 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096
  • 折叠

摘要

关键词

功率半导体/击穿电压/场限环/环间距/MEDICI表面电荷

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

遇寒,沈克强..功率半导体器件的场限环研究[J].电子器件,2007,30(1):210-214,5.

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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