西南交通大学学报2002，Vol.37Issue(2)：212-214,3.
半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率
The Second-Order Nonlinear Susceptibility in Semiconductor Asymmetric Step Quantum Well Structure
温诚忠 1窦玉焕1
作者信息
- 1. 西南交通大学应用物理系,四川,成都,610031
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摘要
关键词
非线性光学/半导体物理/阶梯势阱/二阶非线性极化率分类
数理科学引用本文复制引用
温诚忠,窦玉焕..半导体非对称阶梯量子阱结构的二阶非线性极化率[J].西南交通大学学报,2002,37(2):212-214,3.
