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重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

方敏 杨德仁 马向阳 阙端麟

材料科学与工程学报2006,Vol.24Issue(2):212-214,3.
材料科学与工程学报2006,Vol.24Issue(2):212-214,3.

重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示

Delineation of Flow Pattern Defects in Heavily Boron-doped Czochralski Silicon Wafer

方敏 1杨德仁 1马向阳 1阙端麟1

作者信息

  • 1. 浙江大学硅材料科学国家重点实验室,浙江,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

直拉单晶硅/重掺硼/FPD

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

方敏,杨德仁,马向阳,阙端麟..重掺硼直拉硅片中流动图形缺陷的显示[J].材料科学与工程学报,2006,24(2):212-214,3.

基金项目

国家自然科学基金(50072019)和国家杰出青年基金(50225210)资助项目 (50072019)

材料科学与工程学报

OACSCDCSTPCD

1673-2812

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