发光学报2001，Vol.22Issue(3)：213-217,5.
有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究
Influence of Carrier Gas in Metalorganic Precursors on the MOCVD Growth of InGaN Films
王立 1李述体 1彭学新 1熊传兵 1李鹏 1江凤益1
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摘要
关键词
MOCVD/InGaN/卢瑟福背散射/沟道技术/光致发光分类
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王立,李述体,彭学新,熊传兵,李鹏,江凤益..有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究[J].发光学报,2001,22(3):213-217,5.
