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GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

王俊忠 吉元 田彦宝 牛南辉 徐晨 韩军 郭霞 沈光地

电子学报2008，Vol.36Issue(11)：2139-2143,5.
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电子学报2008，Vol.36Issue(11)：2139-2143,5.

GaN外延结构中微区应变场的测量和评价

Measurement and Evaluation of Micro-Sized Strain Fields in GaN Epitaxial Structure

王俊忠 1吉元 1田彦宝 1牛南辉 2徐晨 2韩军 2郭霞 2沈光地2

作者信息

  • 1. 北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124
  • 2. 北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124
  • 折叠

摘要

关键词

电子背散射衍射(EBSD)/微区应力/CaN外延层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王俊忠,吉元,田彦宝,牛南辉,徐晨,韩军,郭霞,沈光地..GaN外延结构中微区应变场的测量和评价[J].电子学报,2008,36(11):2139-2143,5.

基金项目

国家自然科学基金(No.69936020) （No.69936020）

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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