GaN外延结构中微区应变场的测量和评价OA北大核心CSCDCSTPCD
Measurement and Evaluation of Micro-Sized Strain Fields in GaN Epitaxial Structure
采用电子背散射衍射(EBSD)技术,测量CaN/蓝宝石结构中的弹性应变场.将EBSD菊池衍射花样的图像质量IQ值及小角度错配作为应力敏感参数,表征GaN-Buffer层-蓝宝石结构中的晶格畸变和转动,显示微区弹性应变场.在GaN/蓝宝石系统中,弹性应变的影响范围大约200×700nm.采用快速傅立叶变换(FIT)提取菊池花样的衍射强度,识别CaN外延结构中的应变/无应变区域.
王俊忠;吉元;田彦宝;牛南辉;徐晨;韩军;郭霞;沈光地
北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京,100124北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124北京工业大学光电子技术研究所,北京,100124
信息技术与安全科学
电子背散射衍射(EBSD)微区应力CaN外延层
《电子学报》 2008 (11)
ULSI中铜互连线的研究
2139-2143,5
国家自然科学基金(No.69936020)
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