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5~20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

王荣 司戈丽 郭增良 张新辉 翟佐绪

北京师范大学学报(自然科学版)2002,Vol.38Issue(2):214-217,4.
北京师范大学学报(自然科学版)2002,Vol.38Issue(2):214-217,4.

5~20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响

5~20MeV PROTON IRRADIATION EFFECTS ON GaAs/Ge SPACE SOLAR CELLS

王荣 1司戈丽 1郭增良 2张新辉 2翟佐绪2

作者信息

  • 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京市辐射中心,100875,北京
  • 2. 信息产业部第18研究所,300381,天津
  • 折叠

摘要

关键词

GaAs/Ge太阳电池/质子辐照

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王荣,司戈丽,郭增良,张新辉,翟佐绪..5~20MeV高能质子辐照对空间实用GaAs/Ge太阳电池性能的影响[J].北京师范大学学报(自然科学版),2002,38(2):214-217,4.

基金项目

教育部重点实验室访问学者基金资助项目 ()

北京市科学技术研究院萌芽计划基金资助项目 ()

北京师范大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

0476-0301

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