发光学报2009，Vol.30Issue(2)：214-218,5.
界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响
Effect of Interface Growth Interruption on Spin Relaxation in GaAs (111)-AlGaAs/GaAs Quantum Wells
摘要
关键词
时间分辨克尔旋转谱/多量子阱/分子束外延/光致发光Key words
time-resolved Kerr rotation spectrum/multiple quantum wells/molecular beam epitaxy/photo-luminescence分类
数理科学引用本文复制引用
杨成良,叶慧琪,王文新,高汉超,胡长城,刘宝利,陈弘..界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响[J].发光学报,2009,30(2):214-218,5.基金项目
国家自然科学基金(10874212,10534030)资助项目 （10874212,10534030）
