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半导体学报
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衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响
衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响
卢志恒
李素杰
张朝明
罗晏
张荟星
半导体学报
Issue(3):215,1.
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半导体学报
Issue(3)
:215,1.
衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响
卢志恒
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李素杰
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张朝明
1
罗晏
1
张荟星
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关键词
预非晶化
/
离子注入
/
浅结
/
硼
/
硅
分类
信息技术与安全科学
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卢志恒,李素杰,张朝明,罗晏,张荟星..衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响[J].半导体学报,1990,(3):215,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN:
1674-4926
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