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Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究

翟光杰杨建树陈显邦王学森

物理学报2000，Vol.49Issue(2)：215-219,5.

STM STUDIES OF SILICON NITRIDE FILMS GROWN ON Si(111) BY EXPOSING TO NH3

翟光杰 ¹杨建树 ¹陈显邦 ¹王学森¹

作者信息

硅/表面/氨气/氮化硅薄膜/STM

数理科学

翟光杰,杨建树,陈显邦,王学森..Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究[J].物理学报,2000,49(2):215-219,5.

香港特别行政区研究拨款委员会(RGC)资助的课题. （RGC）

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

ISSN：1000-3290

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