半导体学报2005，Vol.26Issue(11)：2159-2163,5.
阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型
A Breakdown Model of Thin Drift Region LDMOS with a Step Doping Profile
李琦 1张波 1李肇基1
作者信息
- 1. 电子科技大学IC设计中心,成都,610054
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摘要
关键词
薄漂移区/阶梯掺杂/击穿电压/模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李琦,张波,李肇基..阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型[J].半导体学报,2005,26(11):2159-2163,5.
