电子器件2007，Vol.30Issue(6)：2166-2169,2173,5.
非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型
Analytical 2-D Threshold Voltage Model for Fully Depleted SOI MOSFET with Asymmetric HALO
许剑 1丁磊 1韩郑生 2钟传杰1
作者信息
- 1. 江南大学信息工程学院,江苏,无锡,214000
- 2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
- 折叠
摘要
关键词
阈值电压/表面势/全耗尽SOI/HALO结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
许剑,丁磊,韩郑生,钟传杰..非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型[J].电子器件,2007,30(6):2166-2169,2173,5.
