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低能 Si+ 离子注入 GaAs 材料的沟道效应和射程分布

江炳尧沈鸿烈周祖尧夏冠群

半导体学报Issue(4)：217,1.

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半导体学报Issue(4)：217,1.

低能 Si+ 离子注入 GaAs 材料的沟道效应和射程分布

江炳尧 ¹沈鸿烈 ¹周祖尧 ¹夏冠群¹

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江炳尧,沈鸿烈,周祖尧,夏冠群..低能 Si+ 离子注入 GaAs 材料的沟道效应和射程分布[J].半导体学报,1993,(4):217,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

ISSN：1674-4926

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