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低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

陈博 王圩 汪孝杰 张静媛 朱洪亮 周帆 王玉田 马朝华 张子莹 刘国利

半导体学报Issue(3):218,1.
半导体学报Issue(3):218,1.

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

陈博 1王圩 1汪孝杰 1张静媛 1朱洪亮 1周帆 1王玉田 1马朝华 1张子莹 1刘国利1

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陈博,王圩,汪孝杰,张静媛,朱洪亮,周帆,王玉田,马朝华,张子莹,刘国利..低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长[J].半导体学报,1998,(3):218,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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