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适用于0.8μm CMOS VLSI的双层金属布线技术研究

徐秋霞 海潮和 陈焕章 赵玉印 李建勋

半导体学报Issue(3)：218,1.
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半导体学报Issue(3)：218,1.

适用于0.8μm CMOS VLSI的双层金属布线技术研究

徐秋霞 1海潮和 1陈焕章 1赵玉印 1李建勋1

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徐秋霞,海潮和,陈焕章,赵玉印,李建勋..适用于0.8μm CMOS VLSI的双层金属布线技术研究[J].半导体学报,1997,(3):218,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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