半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：218-220,3.
Si衬底上SiC薄膜的快速生长
Fast Epitaxy of 3C-SiC Grown on Si Substrate
李家业 1赵永梅 1刘兴昉 1孙国胜 1王雷 1赵万顺 1罗木昌 1曾一平 1李晋闽1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
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摘要
关键词
3C-SiC/快速生长/XRD分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李家业,赵永梅,刘兴昉,孙国胜,王雷,赵万顺,罗木昌,曾一平,李晋闽..Si衬底上SiC薄膜的快速生长[J].半导体学报,2007,28(z1):218-220,3.
