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4H-SiC npn BJT特性研究

龚欣 张进城 郝跃 张晓菊

电子学报2003,Vol.31Issue(z1):2201-2204,4.
电子学报2003,Vol.31Issue(z1):2201-2204,4.

4H-SiC npn BJT特性研究

Study on Characteristics of 4H-SiC npn BJT

龚欣 1张进城 1郝跃 1张晓菊1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,陕西,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

4H-SiC/物理模型/双极型晶体管

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

龚欣,张进城,郝跃,张晓菊..4H-SiC npn BJT特性研究[J].电子学报,2003,31(z1):2201-2204,4.

基金项目

国家重大基础研究项目(973)(No.2002CB311904) (973)

电子学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

0372-2112

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