电子学报2000，Vol.28Issue(11)：22-24,35,4.
自保护MOS栅晶闸管
A Novel Self-protected MOS-gated Thyristor
高玉民 1单建安 2许曙明3
作者信息
- 1. 西安交通大学电信学院,西安,710049
- 2. 香港科技大学
- 3. 新加坡微电子所
- 折叠
摘要
关键词
MOS栅晶闸管/自保护/正偏安全工作区/SOI/沟槽隔离分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
高玉民,单建安,许曙明..自保护MOS栅晶闸管[J].电子学报,2000,28(11):22-24,35,4.
