| 注册
首页|期刊导航|航空材料学报|CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

刘荣军 张长瑞 刘晓阳 周新贵 曹英斌

航空材料学报2004,Vol.24Issue(4):22-26,5.
航空材料学报2004,Vol.24Issue(4):22-26,5.

CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响

The effects of deposition temperature on the depositon rates and structures of CVD SiC coatings

刘荣军 1张长瑞 1刘晓阳 1周新贵 1曹英斌1

作者信息

  • 1. 国防科技大学,航天与材料工程学院,国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073
  • 折叠

摘要

关键词

沉积温度/CVD/SiC/沉积速率/结构

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

刘荣军,张长瑞,刘晓阳,周新贵,曹英斌..CVD过程中温度对SiC涂层沉积速率及组织结构的影响[J].航空材料学报,2004,24(4):22-26,5.

基金项目

国防预研基金(项目编号:41312011002) (项目编号:41312011002)

航空材料学报

OACSCDCSTPCD

1005-5053

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文