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InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征

周天明 张宝林 蒋红 宁永强 李树纬 金亿鑫

发光学报Issue(3)：223-227,5.
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发光学报Issue(3)：223-227,5.

InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征

周天明 1张宝林 1蒋红 2宁永强 2李树纬 2金亿鑫2

作者信息

  • 1. 中国科学院长春物理研究所
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/异质结/红外光电材料/砷化铟/锑化镓

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

周天明,张宝林,蒋红,宁永强,李树纬,金亿鑫..InAs和InAs/GaSb异质结的MOCVD生长和表征[J].发光学报,1997,(3):223-227,5.

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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