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GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

孙小玲 杨辉 李国华 郑联喜 李建斌 王玉田 王占国

半导体学报Issue(3)：225,1.
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半导体学报Issue(3)：225,1.

GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究

孙小玲 1杨辉 1李国华 2郑联喜 2李建斌 2王玉田 2王占国2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/MOCVD法/氮化镓/外延生长

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

孙小玲,杨辉,李国华,郑联喜,李建斌,王玉田,王占国..GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究[J].半导体学报,1999,(3):225,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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