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热丝对微波ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响

李瀛 陈光华 朱秀红 胡跃辉 宋雪梅

液晶与显示2005,Vol.20Issue(3):225-228,4.
液晶与显示2005,Vol.20Issue(3):225-228,4.

热丝对微波ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响

Effect of Hot Wire on the Hydrogen Content of a-Si:H Films Prepared by Microwave ECR CVD Technique

李瀛 1陈光华 1朱秀红 1胡跃辉 1宋雪梅1

作者信息

  • 1. 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022
  • 折叠

摘要

关键词

氢化非晶硅/微波ECR CVD/沉积速率/氢含量

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李瀛,陈光华,朱秀红,胡跃辉,宋雪梅..热丝对微波ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响[J].液晶与显示,2005,20(3):225-228,4.

基金项目

国家重点基础研究发展计划"973"资助项目(No.G2000028201-1) (No.G2000028201-1)

液晶与显示

OA北大核心CSCD

1007-2780

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