材料科学与工程学报2008，Vol.26Issue(2)：226-228,216,4.
硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响
Influence of Boron-doping on Electrical Properties of na-Si:H Thin Film Prepared by PECVD
冯仁华 1张溪文 1韩高荣1
作者信息
- 1. 浙江大学无机非金属材料研究所,浙江杭州,310027
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摘要
关键词
PECVD/na-Si:H/掺杂比/激活能分类
数理科学引用本文复制引用
冯仁华,张溪文,韩高荣..硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响[J].材料科学与工程学报,2008,26(2):226-228,216,4.
