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SiC埋层的制备及其红外吸收特性

严辉 陈光华 黄世平 郭伟民

ACTA PHYSICA SINICAIssue(11)：2274-2279,6.
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ACTA PHYSICA SINICAIssue(11)：2274-2279,6.

SiC埋层的制备及其红外吸收特性

严辉 1陈光华 2黄世平 3郭伟民3

作者信息

  • 1. 北京工业大学应用物理系
  • 2. 香港中文大学电子工程系
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/晶体生长/红外吸收/埋层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

严辉,陈光华,黄世平,郭伟民..SiC埋层的制备及其红外吸收特性[J].ACTA PHYSICA SINICA,1997,(11):2274-2279,6.

ACTA PHYSICA SINICA

OA北大核心CSCD

1000-3290

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