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门极换流晶闸管透明阳极的机理与特性分析

王彩琳 高勇 马丽 张昌利 金垠东 金相喆

物理学报2005,Vol.54Issue(5):2296-2301,6.
物理学报2005,Vol.54Issue(5):2296-2301,6.

门极换流晶闸管透明阳极的机理与特性分析

Analysis of the mechanism and characteristic for the transparent anode in a gate commutated thyristor

王彩琳 1高勇 1马丽 1张昌利 2金垠东 2金相喆2

作者信息

  • 1. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
  • 2. 韩国电气研究院电力半导体研究室,韩国,641-600
  • 折叠

摘要

关键词

透明阳极/电力半导体器件/门极换流晶闸管/注入效率

分类

数理科学

引用本文复制引用

王彩琳,高勇,马丽,张昌利,金垠东,金相喆..门极换流晶闸管透明阳极的机理与特性分析[J].物理学报,2005,54(5):2296-2301,6.

基金项目

本课题受到陕西省教育厅专项科研计划项目(批准号:04JK245)资助的课题 (批准号:04JK245)

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

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