红外技术2009，Vol.31Issue(4)：232-235,4.
锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计
Design of ion Implantation of InSb p-on-n Photovoltaic Devices
龚晓霞 1苏玉辉 1雷胜琼 1万锐敏 1杨文运1
作者信息
- 1. 昆明物理研究所,云南,昆明,650223
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摘要
关键词
锑化铟/LSS理论/优化掺杂/离子注入/理论计算分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
龚晓霞,苏玉辉,雷胜琼,万锐敏,杨文运..锑化铟p-on-n光伏器件的离子注入设计[J].红外技术,2009,31(4):232-235,4.
