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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1-xCdxTe 位错密度研究

巫艳 于梅芳 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力

红外与毫米波学报2002，Vol.21Issue(1)：23-27,5.
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红外与毫米波学报2002，Vol.21Issue(1)：23-27,5.

采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1-xCdxTe 位错密度研究

DISLOCATION DENSITY OF MBE GROWN Hg1-xCdxTe ON ZnCdTe SUBSTRATES*

巫艳 1于梅芳 1陈路 1乔怡敏 1杨建荣 1何力1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心,红外物理国家实验室,上海,200083
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摘要

关键词

分子束外延,Hg1-xCdxTe,位错密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

巫艳,于梅芳,陈路,乔怡敏,杨建荣,何力..采用ZnCdTe衬底的MBE Hg1-xCdxTe 位错密度研究[J].红外与毫米波学报,2002,21(1):23-27,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号69425002)和国家863(批准号863-307-16-10)资助项目 （批准号69425002）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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