西安电子科技大学学报（自然科学版）2005，Vol.32Issue(2)：234-236,3.
AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析
Development and characteristics of AlGaN/GaN HEMT
摘要
关键词
微波功率器件/AlGaN/GaN/高电子迁移率晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王冲,郝跃,张进城..AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析[J].西安电子科技大学学报（自然科学版）,2005,32(2):234-236,3.基金项目
国家重大基础研究项目(973)资助项目(2002CB311904) （973）
国家部委预研资助项目(41308060106) （41308060106）
