氦离子注入形成980nm脊型波导激光器腔面非注入区的研究OA北大核心CSCDCSTPCD
Investigation of 980nm Ridge Waveguide Lasers with Current Non-Injection Regions by He Ion Implantaion
报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率.在距离腔面25μm的区域内进行氦离子注入,由此形成腔面附近的电流非注入区.腔面附近非注入区减少了腔面载流子的注入,因此减少了非辐射复合的发生,提高了激光器的灾变性光学损伤阈值.应用氦离子注入形成腔面非注入区的管芯的平均最大功率达到440.5mW,没有发生CO…查看全部>>
The technology of He ion implantation for improving the catastrophic optical damage (COD) level of 980nm semiconductor lasers is introduced.After He ion implantation,p-GaAs obtain higher resistivity than before.About 25μm-long current non-injection regions are introduced near both facets,where the injection current is blocked by high resistivity area.The current non-injection regions can reduce carriers inject to facets,and the rate of the non-radiative reco…查看全部>>
刘斌;张敬明;马骁宇;肖建伟
中国科学院半导体研究所,国家光电子器件工程研究中心,北京,100083中国科学院半导体研究所,国家光电子器件工程研究中心,北京,100083中国科学院半导体研究所,国家光电子器件工程研究中心,北京,100083中国科学院半导体研究所,国家光电子器件工程研究中心,北京,100083
电子信息工程
980nm半导体激光器可靠性氦离子注入非注入区COD
980nm semiconductor lasersreliabilityHe ion implantationnon-injection regionsCOD
《半导体学报》 2003 (3)
234-237,4
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