半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：234-237,4.
插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN
Growth of GaN on Si(111)by Inserting δAl/AlN Buffer Layer
郭伦春 1王晓亮 1胡国新 1李建平 1罗卫军1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083
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摘要
关键词
GaN/MOCVD/AlN/缓冲层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郭伦春,王晓亮,胡国新,李建平,罗卫军..插入δAl/AlN缓冲层在Si(111)上生长GaN[J].半导体学报,2007,28(z1):234-237,4.
