半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：235-238,4.
一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术
A Novel Strained Si Channel Heterojunction pMOSFET
张静 1徐婉静 2谭开洲 1李荣强 2李开成 1刘道广 2刘伦才1
作者信息
- 1. 模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060
- 2. 中国电子科技集团集团第24所,重庆,400060
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摘要
关键词
应变Si/SiGe/异质结场效应晶体管/分子束外延/弛豫分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张静,徐婉静,谭开洲,李荣强,李开成,刘道广,刘伦才..一种新颖的应变Si沟道 pMOSFET制作技术[J].半导体学报,2006,27(z1):235-238,4.
