物理学报2004，Vol.53Issue(1)：235-238,4.
pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度
Determination of bandgap in SiGe strained layers using a pn heterojunction C -V
摘要
关键词
SiGe/Si/异质pn结/C-V/禁带宽度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
舒斌,戴显英,张鹤鸣..pn结电容-电压法测量应变SiGe禁带宽度[J].物理学报,2004,53(1):235-238,4.基金项目
模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:99JS09.3.1DZ0111)资助的课题. （批准号:99JS09.3.1DZ0111）
