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GaAs 衬底上生长的 Ga0.5In0.5P 外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

赵家龙 高瑛 刘学彦 苏锡安 梁家昌 关兴国 章其麟

半导体学报Issue(4)：236,1.
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半导体学报Issue(4)：236,1.

GaAs 衬底上生长的 Ga0.5In0.5P 外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

赵家龙 1高瑛 1刘学彦 1苏锡安 1梁家昌 1关兴国 1章其麟1

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赵家龙,高瑛,刘学彦,苏锡安,梁家昌,关兴国,章其麟..GaAs 衬底上生长的 Ga0.5In0.5P 外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系[J].半导体学报,1992,(4):236,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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