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GaN发光二极管表观电容极值分析

谭延亮 游开明 陈列尊 袁红志

发光学报2007，Vol.28Issue(2)：237-240,4.
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发光学报2007，Vol.28Issue(2)：237-240,4.

GaN发光二极管表观电容极值分析

Analysis of the Apparent Capacitance Extremum of GaN Light-emitting Diode

谭延亮 1游开明 1陈列尊 1袁红志2

作者信息

  • 1. 衡阳师范学院,物电系,湖南,衡阳,421008
  • 2. 湖南天雁机械有限公司,湖南,衡阳,421005
  • 折叠

摘要

关键词

GaN发光二极管/负电容/正向交流(ac)小信号方法/可变电容/极值

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

谭延亮,游开明,陈列尊,袁红志..GaN发光二极管表观电容极值分析[J].发光学报,2007,28(2):237-240,4.

基金项目

湖南省教育厅科学研究基金资助项目 （）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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