标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现OA北大核心CSCD
Design and Fabrication of Schottky Diode with Standard CMOS Process
提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到I-V,C-V和S参数,并计算得出所测试肖特基二极管的饱和电流、势垒电压及反向击穿电压.最后给出了可用于SPICE仿真的模型.
Design and fabrication of Schottky barrier diodes (SBD) with a commercial standard 0.35μm CMOS process are described.In order to reduce the series resistor of Schottky contact,interdigitating the fingers of schottky diode layout is adopted.The I-V,C-V,and S parameter are measured.The parameters of realized SBD such as the saturation current,breakdown voltage,and the Schottky barrier height are given.The SPICE simulation model of the realized SBDs is given.
李强;王俊宇;韩益锋;闵昊
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433
电子信息工程
CMOS肖特基二极管集成
CMOSSchottky diodeintegration
《半导体学报》 2005 (2)
238-242,5
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA1Z1280)
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