|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜

低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜

杨霏 陈诺夫 张兴旺 杨少延 刘志凯 柴春林 侯哲哲 马辉 尹志刚

半导体学报2005，Vol.26Issue(12)：2385-2389,5.
✕
半导体学报2005，Vol.26Issue(12)：2385-2389,5.

低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜

Growth of (111) Textured 3C-SiC on Si (111) by Low Energy Ion Beam Deposition

杨霏 1陈诺夫 1张兴旺 2杨少延 1刘志凯 1柴春林 1侯哲哲 1马辉 3尹志刚4

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院国家微重力实验室,北京,100080
  • 3. 石家庄铁道学院材料科学与工程系,石家庄,050043
  • 4. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875
  • 折叠

摘要

关键词

3C-SiC/离子束沉积/(111)织构/低能量/扩散/通道效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨霏,陈诺夫,张兴旺,杨少延,刘志凯,柴春林,侯哲哲,马辉,尹志刚..低能碳离子束沉积(111)织构的立方SiC薄膜[J].半导体学报,2005,26(12):2385-2389,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60176001,60390072)及国家重大基础研究发展规划(批准号:2002CB311905,G20000365)资助项目 （批准号:60176001,60390072）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文