物理学报2008，Vol.57Issue(4)：2386-2391,6.
AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响
Influence of structure and doping concentration of AlxGa1-xN/GaN double quantum wells on wavelength and absorption coefficient of intersubband transitions
摘要
关键词
自洽/AlxGa1-xN/GaN双量子阱/子带间跃迁分类
数理科学引用本文复制引用
雷双瑛,沈波,张国义..AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响[J].物理学报,2008,57(4):2386-2391,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60325413)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604908)、教育部科学技术研究重大项目(批准号:705002)、北京市自然科学基金(批准号:4062017)资助的课题. （批准号:60325413）
