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硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理

柴常春 杨银堂 张冰 冷鹏 杨杨 饶伟

半导体学报(英文版)2008,Vol.29Issue(12):2403-2407,5.
半导体学报(英文版)2008,Vol.29Issue(12):2403-2407,5.

硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理

Mechanism of Energy-Injection Damage of Silicon Bipolar Low-Noise Amplifiers

柴常春 1杨银堂 1张冰 1冷鹏 1杨杨 1饶伟1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

能量注入/低噪声放大器/噪声/增益/损伤机理

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

柴常春,杨银堂,张冰,冷鹏,杨杨,饶伟..硅基双极低噪声放大器的能量注入损伤与机理[J].半导体学报(英文版),2008,29(12):2403-2407,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60776034) Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60776034) (批准号:60776034)

半导体学报(英文版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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