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中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

李养贤 刘何燕 牛萍娟 刘彩池 徐岳生 杨德仁 阙端鳞

物理学报2002,Vol.51Issue(10):2407-2410,4.
物理学报2002,Vol.51Issue(10):2407-2410,4.

中子辐照直拉硅中的本征吸除效应

The intrinsic gettering in neutron irradiation czochralski-silicon

李养贤 1刘何燕 1牛萍娟 1刘彩池 1徐岳生 1杨德仁 2阙端鳞2

作者信息

  • 1. 河北工业大学材料学院,天津,300130
  • 2. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

本征吸除/中子辐照/直拉硅

分类

数理科学

引用本文复制引用

李养贤,刘何燕,牛萍娟,刘彩池,徐岳生,杨德仁,阙端鳞..中子辐照直拉硅中的本征吸除效应[J].物理学报,2002,51(10):2407-2410,4.

基金项目

国家自然科学重点基金(批准号:50032010),河北省自然科学基金和天津市自然科学基金重点资助的课题. (批准号:50032010)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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