|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|P〈100〉Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响

P〈100〉Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响

李养贤 鞠玉林

半导体学报Issue(4)：241,1.
✕
半导体学报Issue(4)：241,1.

P〈100〉Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响

李养贤 1鞠玉林1

作者信息

  • 1. 河北工学院材料研究中心
  • 折叠

摘要

关键词

硅/图形畸变/外延生长/半导体器件

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李养贤,鞠玉林..P〈100〉Si衬底晶向偏离度对外延埋层图形畸变的影响[J].半导体学报,1996,(4):241,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

访问量1
|
下载量0
段落导航相关论文