|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

彭冬生 冯玉春 牛憨笨

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：241-244,4.
✕
半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：241-244,4.

前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜

High Quality GaN Films Growth on Pre-Treated Sapphire Substrate

彭冬生 1冯玉春 2牛憨笨3

作者信息

  • 1. 深圳大学光电子学研究所,深圳,518060
  • 2. 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068
  • 3. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

前处理/MOCVD/GaN薄膜

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

彭冬生,冯玉春,牛憨笨..前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜[J].半导体学报,2007,28(z1):241-244,4.

基金项目

广东省自然科学基金(批准号:04300863),广东省关键领域重点突破项目(批准号:2B2003A107)及深圳市科技计划(批准号:200515)资助项目 （批准号:04300863）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文