|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|a-Si:O:H薄膜微结构及其高温退火行为研究

a-Si:O:H薄膜微结构及其高温退火行为研究

王永谦 陈长勇 陈维德 杨富华 刁宏伟 许振嘉 张世斌 孔光临 廖显伯

物理学报2001，Vol.50Issue(12)：2418-2422,5.
✕
物理学报2001，Vol.50Issue(12)：2418-2422,5.

a-Si:O:H薄膜微结构及其高温退火行为研究

THE MICROSTRUCTURE AND ITS HIGH-TEMPERATURE ANNEALING BEHAVIOURS OF a-Si: O: H FILM

王永谦 1陈长勇 1陈维德 1杨富华 2刁宏伟 1许振嘉 1张世斌 1孔光临 1廖显伯1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所凝聚态物理中心,表面物理国家重点实验室,北京,100083
  • 2. 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

a-Si:O:H/nc-Si/微结构/退火

分类

数理科学

引用本文复制引用

王永谦,陈长勇,陈维德,杨富华,刁宏伟,许振嘉,张世斌,孔光临,廖显伯..a-Si:O:H薄膜微结构及其高温退火行为研究[J].物理学报,2001,50(12):2418-2422,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:69976028)和国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2000028201)资助的课题. （批准号:69976028）

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

访问量5
|
下载量0
段落导航相关论文