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Si+注入SiO2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响

刘世祥刘渝珍伍勇石万全陈志坚韩一琴刘金龙张通和姚德成

半导体学报Issue(3)：242,1.

刘世祥 ¹刘渝珍 ¹伍勇 ²石万全 ²陈志坚 ²韩一琴 ²刘金龙 ²张通和 ²姚德成²

作者信息

硅/二氧化硅/RTA/半导体薄膜技术

信息技术与安全科学

刘世祥,刘渝珍,伍勇,石万全,陈志坚,韩一琴,刘金龙,张通和,姚德成..Si+注入SiO2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响[J].半导体学报,1999,(3):242,1.

OA北大核心CSCD

ISSN：1674-4926

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