半导体学报2005，Vol.26Issue(12)：2422-2427,6.
AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应
Pressure Effect on Electronic Mobility in Quasi-Two-Dimensional AlxGa1-xAs/GaAs Heterojunction Systems
摘要
关键词
异质结/电子迁移率/压力效应分类
数理科学引用本文复制引用
白鲜萍,班士良..AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应[J].半导体学报,2005,26(12):2422-2427,6.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60166002)和内蒙古自治区优秀学科带头人计划资助项目 （批准号:60166002）
