半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：242-247,6.
一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型
A Carrier-Based Analytic Model for the Undoped Symmetric Double-Gate MOSFETs
何进 1陶亚东 2边伟 2刘峰 2牛旭东 1宋岩2
作者信息
- 1. 北京大学微电子学研究院,北京,100871
- 2. 北京大学深圳研究生院,信息工程学院,深圳,518055
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摘要
关键词
MOSFETs/器件物理/非传统MOSFET/双栅结构/器件模型/载流子方法分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
何进,陶亚东,边伟,刘峰,牛旭东,宋岩..一种基于载流子的双栅MOSFET解析模型[J].半导体学报,2006,27(z1):242-247,6.
