现代电子技术2008，Vol.31Issue(10)：24-26,3.
4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型
An Analytical Model of I-V Characteristics of 4H-SiC MESFET
摘要
关键词
4H-SiC/射频功率MESFET/I-V特性/解析模型分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
任学峰,杨银堂,贾护军..4H-SiC MESFET直流I-V特性解析模型[J].现代电子技术,2008,31(10):24-26,3.基金项目
国家部委预研资助项目(51308030201) （51308030201）
