电子器件2009，Vol.32Issue(1)：24-27,4.
一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路
8 GHz High Efficiency Internally Matched AlGaN/GaN HEMT Power Amplifier
摘要
关键词
AlGaN/GaN HEMT/内匹配/混合集成电路/功率放大器分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张辉,陈晓娟,刘果果,曾轩,袁婷婷,陈中子,王亮,刘新宇..一个8 GHz基于AlGaN/GaN HEMT的内匹配电路[J].电子器件,2009,32(1):24-27,4.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903)及中国科学院重点创新工程(批准号:KGCX2-SW-107) （批准号:2002CB311903）
