物理学报2008，Vol.57Issue(4)：2450-2455,6.
用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究
Research on the current collapse in AIGaN/GaN high-electron-mobility transistors through the inverse piezoelectric polarization model
摘要
关键词
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管/Poisson-Schrodinger方程/逆压电极化模型/电流崩塌分类
数理科学引用本文复制引用
李若凡,杨瑞霞,武一宾,张志国,许娜颖,马永强..用逆压电极化模型对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究[J].物理学报,2008,57(4):2450-2455,6.基金项目
国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030402)和天津市自然科学基金(批准号:07JCZDJC06100)资助的课题. （批准号:51327030402）
